[发明专利]薄膜的成膜装置有效
申请号: | 201280063883.X | 申请日: | 2012-12-26 |
公开(公告)号: | CN103998649A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 大岛弘幸;藤本圭一;田渊博康;中谷正树 | 申请(专利权)人: | 麒麟麦酒株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;B65D23/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 苏卉;车文 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种成膜装置,在宝特瓶等容器的内表面、外表面中的任一方或双方形成DLC(Diamond Like Carbon)膜、SiOx膜、SiOC膜、SiOCN膜、SiNx膜、AlOx膜等气体阻隔性高的薄膜。成膜装置具备:用于使用发热体(21)在真空状态下在容器(4)的表面进行成膜的真空腔室;对真空腔室进行抽真空的真空排气单元;及在真空腔室的抽真空开始后,在真空腔室内使容器(4)与发热体(21)相对移动的相对移动单元。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜的成膜装置,其特征在于,具备:真空腔室,用于使用发热体在真空状态下在容器的表面进行成膜;真空排气单元,对所述真空腔室进行抽真空;及相对移动单元,在所述真空腔室的抽真空开始后,在所述真空腔室内使容器与发热体相对移动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的