[发明专利]使用可调整电荷状态电平对存储器单元进行编程的设备和方法有效
| 申请号： | 201280064031.2 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN104094355B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 约翰·L·西伯里;布鲁斯·A·利卡宁 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 孙宝成 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示设备和方法，包含一种编程方法，其涉及确定存储器单元的错误率，以及使用至少部分地基于所述经确定错误率的电荷状态的电荷状态电平对所述存储器单元进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 可调整 电荷 状态 电平 存储器 单元 进行 编程 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于对存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：以错误校正码对所述存储器单元中的数据进行错误校正；基于所述错误校正码对错误的容限而识别目标错误率；确定所述存储器单元的观察到的错误率；以及使用至少部分地基于所述目标错误率与经确定观察到的错误率之间关系的电荷状态的电荷状态电平将数据编程到所述存储器单元，借此所述电荷状态电平至少近似等于产生不大于所述目标错误率的所述经确定观察到的错误率的最小电荷状态电平。
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