[发明专利]存储器单元、集成装置及形成存储器单元的方法有效
申请号: | 201280064400.8 | 申请日: | 2012-11-07 |
公开(公告)号: | CN104081525B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 安德烈亚·雷达埃利;乌戈·鲁索;阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺;西蒙娜·拉维扎里 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 孙宝成 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一些实施例包含例如存储器单元的集成装置。所述装置可包含:硫族化物材料;导电材料,其在所述硫族化物材料上方;及散热片,其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。一些实施例包含一种形成存储器单元的方法。可在加热器材料上方形成硫族化物材料。可在所述硫族化物材料上方形成导电材料。可在所述导电材料与所述硫族化物材料之间形成散热片。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。 | ||
搜索关键词: | 存储器 单元 集成 装置 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种集成装置,其包括:硫族化物材料,其包括锑、碲及锗;导电材料,其在所述硫族化物材料上方;及散热片,其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间,所述散热片直接抵靠所述导电材料及所述硫族化物材料;所述散热片包括包含锑及与所述导电材料相同的元素的组合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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