[发明专利]存储器单元、集成装置及形成存储器单元的方法有效

专利信息
申请号: 201280064400.8 申请日: 2012-11-07
公开(公告)号: CN104081525B 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 安德烈亚·雷达埃利;乌戈·鲁索;阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺;西蒙娜·拉维扎里 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L21/8247
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 孙宝成
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一些实施例包含例如存储器单元的集成装置。所述装置可包含:硫族化物材料;导电材料,其在所述硫族化物材料上方;及散热片,其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。一些实施例包含一种形成存储器单元的方法。可在加热器材料上方形成硫族化物材料。可在所述硫族化物材料上方形成导电材料。可在所述导电材料与所述硫族化物材料之间形成散热片。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。
搜索关键词: 存储器 单元 集成 装置 形成 方法
【主权项】:
一种集成装置,其包括:硫族化物材料,其包括锑、碲及锗;导电材料,其在所述硫族化物材料上方;及散热片,其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间,所述散热片直接抵靠所述导电材料及所述硫族化物材料;所述散热片包括包含锑及与所述导电材料相同的元素的组合物。
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