[发明专利]常断型异质结场效应晶体管

摘要

常断型HFET包括：依次叠层的厚度为t₁的未掺杂Al_wGa_1-wN层(11)、厚度为t₂的未掺杂Al_xGa_1-xN层(11b)和厚度为t_ch的未掺杂GaN沟道层(11a)；与沟道层电连接并且相互隔开地形成的源极电极(21)和漏极电极(22)；在源极电极与漏极电极之间在沟道层上形成的厚度为t3的未掺杂Al_yGa_1-yN层(12)；在源极电极与漏极电极之间在Al_yGa_1-yN层的部分区域上呈台面型形成的厚度为t₄的Al_zGa_1-zN层(13)；和在Al_zGa_1-zN层上形成的肖特基势垒型栅极电极(23)，满足y＞x＞w＞z、t₁＞t₄＞t₃和2wt_ch/(x-w)＞t₂＞1nm的条件。

主权项

一种常断型HFET，其特征在于，包括：依次叠层的厚度为t₁的未掺杂Al_wGa_1‑wN层、厚度为t₂的未掺杂Al_xGa_1‑xN层和厚度为t_ch的未掺杂GaN沟道层；与所述沟道层电连接并且相互隔开地形成的源极电极和漏极电极；在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述沟道层上形成的厚度为t₃的未掺杂Al_yGa_1‑yN层；在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述Al_yGa_1‑yN层的部分区域上呈台面型形成的厚度为t₄的Al_zGa_1‑zN层；和在所述Al_zGa_1‑zN层上形成的肖特基势垒型栅极电极，满足y＞x＞w＞z、t₁＞t₄＞t₃和2wt_ch/(x‑w)＞t₂＞1nm的条件。