[发明专利]具有冷却系统的喷头及具备该喷头的基板处理装置有效
| 申请号： | 201280065269.7 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN104025258A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 梁日光;宋炳奎;金龙基;金劲勋;申良湜 | 申请（专利权）人： | 株式会社EUGENE科技 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;杨勇 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的一实施方案，所述基板处理装置包括：腔室主体，其上部打开，并提供实现对基板的工艺的内部空间；腔室盖，其设置在所述腔室主体的上部，并用于关闭所述腔室主体的上部；以及喷头，其设置在所述腔室盖的下部，并用于向所述内部空间供应反应气体，其中所述喷头具备：凸缘，其与所述腔室盖接触，并具有从上部表面凹陷的、且制冷剂在内部流动的通道；以及平板，其位于所述凸缘的内侧，并具有在其厚度方向形成的、用于喷射所述反应气体的一个以上的喷射孔。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 冷却系统 喷头 具备 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置包括：腔室主体，其上部打开，并提供实现对基板的工艺的内部空间；腔室盖，其设置在所述腔室主体的上部，并用于关闭所述腔室主体的上部；以及喷头，其设置在所述腔室盖的下部，并用于向所述内部空间供应反应气体，其中，所述喷头具备：凸缘，其与所述腔室盖接触，并具有从上部表面凹陷的、且制冷剂在内部流动的通道；以及平板，其位于所述凸缘的内侧，并具有在其厚度方向形成的、用于喷射所述反应气体的一个以上的喷射孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社EUGENE科技，未经株式会社EUGENE科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280065269.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种溶解氧检测装置的改良结构
- 下一篇：一种造纸毛毯水分测试仪
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
