[发明专利]通过低温工艺制造的薄膜半导体有效
| 申请号： | 201280065560.4 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104040722A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | Y·叶 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/786;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 此处揭露的数个实施例有关于薄膜晶体管(TFT)与用以制造薄膜晶体管的方法。特别是，此处的实施例有关于用以在低温下形成半导体层的方法，半导体层用于TFT中。半导体层的形成可通过：沉积氮化物层或氮氧化物层，例如氮化锌或氮氧化锌，且接着将氮化物层为具有不同的氧成分的氮氧化物层。氮氧化物层通过将沉积的氮化物层暴露于约摄氏85度到约摄氏150度之间的温度下的湿空气来形成。暴露温度是低于一般用以直接地形成氮氧化物层或用以对氮氧化物层进行退火的沉积温度，退火可能在大约摄氏400度的温度下执行。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 低温 工艺 制造 薄膜 半导体 | ||
【主权项】：
一种用以形成半导体氮氧化合物的方法，包括：沉积氮化物层于基板上；以及暴露所述氮化物层于湿环境以将所述氮化物层转换为半导体氮氧化物层。
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