[发明专利]薄膜太阳能电池中的中间反射结构无效
申请号: | 201280065857.0 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN104025307A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 玛丽安娜·费乔鲁-莫拉留 | 申请(专利权)人: | TEL太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/0368 | 分类号: | H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/052;H01L31/18;H01L31/20;H01L31/076 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 本发明涉及高效率和低生产成本的多结薄膜太阳能电池(70)。多结薄膜太阳能电池的组成电池之一(61)的n层(64,65,66,67)具有沿入射光的预期的方向包括非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构,其中中间反射层为如下中之一:单个微晶的基本为硅氧化物的层;或多个层序列,每个层序列均沿入射光的预期的方向包括微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层。本发明还涉及制造以上n层(64,65,66,67)的方法,以及涉及制造上述多结薄膜太阳能电池(70)的方法。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 中的 中间 反射 结构 | ||
【主权项】:
一种多结薄膜太阳能电池(70),包括电串联的至少两个太阳能电池(61;43)的堆叠布置,每个太阳能电池(61;43)均包括含有夹在n掺杂半导体化合物层(64,56,66,67;46)与p掺杂半导体化合物层(62;44)之间的本征半导体化合物层(63;45)的p‑i‑n结,其中,所述堆叠的太阳能电池(61;43)中之一的n层(64,56,66,67)具有包含沿入射光的预期方向的非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构,其中,所述中间反射层包括多个层序列,每个层序列沿入射光的预期方向均由微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的