[发明专利]薄膜太阳能电池中的中间反射结构无效

专利信息
申请号: 201280065857.0 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN104025307A 公开(公告)日: 2014-09-03
发明(设计)人: 玛丽安娜·费乔鲁-莫拉留 申请(专利权)人: TEL太阳能公司
主分类号: H01L31/0368 分类号: H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/052;H01L31/18;H01L31/20;H01L31/076
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 顾晋伟;彭鲲鹏
地址: 瑞士特*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 发明涉及高效率和低生产成本的多结薄膜太阳能电池(70)。多结薄膜太阳能电池的组成电池之一(61)的n层(64,65,66,67)具有沿入射光的预期的方向包括非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构,其中中间反射层为如下中之一:单个微晶的基本为硅氧化物的层;或多个层序列,每个层序列均沿入射光的预期的方向包括微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层。本发明还涉及制造以上n层(64,65,66,67)的方法,以及涉及制造上述多结薄膜太阳能电池(70)的方法。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 中的 中间 反射 结构
【主权项】:
一种多结薄膜太阳能电池(70),包括电串联的至少两个太阳能电池(61;43)的堆叠布置,每个太阳能电池(61;43)均包括含有夹在n掺杂半导体化合物层(64,56,66,67;46)与p掺杂半导体化合物层(62;44)之间的本征半导体化合物层(63;45)的p‑i‑n结,其中,所述堆叠的太阳能电池(61;43)中之一的n层(64,56,66,67)具有包含沿入射光的预期方向的非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构,其中,所述中间反射层包括多个层序列,每个层序列沿入射光的预期方向均由微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层组成。
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