[发明专利]耐弯曲损耗的多模光纤

摘要

一种渐变折射率多模光纤，包括：(a)二氧化硅纤芯，其掺杂有氧化锗和包含P2O5或F或B2O3中的一者的至少一种共掺杂剂，所述纤芯延伸至最外侧纤芯半径r1并具有双α，α1；(b)围住纤芯并偏离所述纤芯的低折射率内包层；(c)围住内包层并与内包层接触的外包层，以使内包层的至少与所述纤芯偏离的区域具有比外包层更低的折射率。在中心线的中心氧化锗浓度CGe1大于或等于0，并且在r1处的纤芯中最外侧氧化锗浓度CGe2大于或等于0。纤芯在中心线处具有大于或等于0的中心共掺杂剂浓度Cc‑d1以及在r1处的最外侧共掺杂剂浓度Cc‑d2，其中Cc‑d2大于或等于0。

主权项

一种渐变折射率多模光纤，包括：(a)包括二氧化硅的纤芯，所述二氧化硅掺杂了氧化锗和至少一种共掺杂剂c‑d，所述共掺杂剂包括P2O5或F或B2O3中的一者，所述纤芯从r＝0处的中心线延伸至最外侧纤芯半径r1并具有双α，即α1和α；(b)围住纤芯并与纤芯接触的内包层；(c)围住内包层并与所述内包层接触的外包层，所述内包层的至少一个区域具有比外包层更低的折射率并与所述纤芯偏离；以及所述氧化锗以一氧化锗掺杂剂浓度分布CGe1(r)被设置在纤芯中，并且所述纤芯具有在中心线处大于或等于0的中心氧化锗浓度CGe1以及在r1处的最外侧氧化锗浓度CGe2，其中CGe2大于或等于0；以及其中共掺杂剂以一共掺杂剂浓度分布Cc‑d(r)被设置在纤芯中，并且纤芯具有在中心线处大于或等于0的中心共掺杂剂浓度Cc‑d1以及在r1处的最外侧共掺杂剂浓度Cc‑d2，其中Cc‑d2大于或等于0；以及CGe(r)＝CGe1‑(CGe1‑CGe2)(1‑x1)rα1‑(CGe1‑CGe2)x1rα2；Cc‑d(r)＝Cc‑d1‑(Cc‑d1‑Cc‑d2)x2rα1‑(Cc‑d1‑Cc‑d2)(1‑x2)rα2；1.8<α1<2.4,1.8<α2<3.1；并且‑10<x1<10并且‑10<x2<10。