[发明专利]用于制造衬底以及半导体结构的方法

摘要

本发明涉及制造衬底的方法，包括下述步骤提供具有至少一个自由表面(7)的供体衬底(1)、执行在供体衬底(1)的预定深度(d)的离子注入以在供体衬底(1)中形成深入预定分开区域(2)，并且其特征在于提供粘合剂层(4)(特别是粘合膏)，覆盖该供体衬底(1)的至少一个自由表面(7)。本发明进一步涉及半导体结构(91、91’、92、93、93’)，包括半导体层(1，1’)以及被设置于该半导体层(1，1’)的一个主侧(7)上的陶瓷基和/或石墨基和/或金属基的粘合剂层(4)。

主权项

一种用于制造衬底的方法，包括下述步骤：提供具有至少一个自由表面(7)和至少一个侧壁的供体衬底(1)，执行在所述供体衬底(1)内的预定深度(d)的离子注入以在所述供体衬底(1)内在预定深度形成预定分开区域(2)，将所述供体衬底至少部分地放置在模具的凹陷或孔内，所述模具包括在所述凹陷或孔内的至少一个侧壁，其几何形状匹配所述供体衬底的至少一个侧壁的几何形状；以及提供粘合剂层(4)，所述粘合剂层覆盖所述供体衬底(1)的整个至少一个自由表面(7)，而所述模具的在凹陷或孔内的至少一个侧壁至少部分地与所述供体衬底的至少一个侧壁重叠，所述模具的至少一个侧壁将粘合剂层限制到邻近所述供体衬底的至少一个自由表面的区域。