[发明专利]使用不连续激光刻划线的方法及结构在审

专利信息
申请号: 201280066330.X 申请日: 2012-12-04
公开(公告)号: CN104081537A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 马修·瑞考 申请(专利权)人: ESI派罗弗特尼克斯雷射股份有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/18;B23K26/57
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
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摘要: 一种薄膜光伏打装置包括一基板及一耦接至该基板的第一导电层。该第一导电层包括延伸穿过该第一导电层的一第一部分至该基板的一部分的至少一个第一凹槽。该装置也包括耦接至该第一导电层的一剩余部分及该基板的该部分的至少一个半导体层。该至少一个半导体层包括多个不重叠通孔,各通孔延伸穿过该至少一个半导体层的一部分至该第一导电层的一部分。该装置进一步包括一耦接至该至少一个半导体层的一剩余部分及该第一导电层的各部分的第二导电层。该第二导电层包括延伸穿过该第二导电层的一部分至该至少一个半导体层的一部分的至少一个第二凹槽。
搜索关键词: 使用 连续 激光 刻划 方法 结构
【主权项】:
一种形成一薄膜光伏打模块的方法,该方法包含:提供具有一第一表面及一与该第一表面相对的第二表面的基板,其中该基板具有一耦接至该第一表面的第一导电层;移除该第一导电层的一部分,以暴露该第一表面的一部分;形成耦接至该第一导电层的剩余部分及该第一表面的该部分的至少一个半导体层;使用激光能量移除该至少一个半导体层的一第一部分,以形成多个延伸穿过该至少一个半导体层的该经移除的第一部分至该第一导电层的不重叠通孔;形成一耦接至该至少一个半导体层的一剩余部分及该第一导电层的通过该多个通孔暴露的部分的第二导电层;及使用激光能量移除该第二导电层的一部分,以暴露该至少一个半导体层的一第二部分。
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