[发明专利]汽相沉积设备及方法中的高发射率分送板无效
| 申请号： | 201280066366.8 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104024466A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | M.J.帕沃尔;C.拉思维格 | 申请（专利权）人： | 初星太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/56;C23C16/455;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张昱;严志军 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于使升华的源材料的汽相沉积为基底上的薄膜的设备及方法。该设备可包括沉积头；设置在沉积头中并被构造成用于接收源材料的容器；设置在容器下方并被构造成将容器加热至足以使源材料在容器内升华程度的加热分送歧管；以及，设置在分送歧管下方并设置在被传送穿过设备的基底的上表面的水平传送平面上方限定距离处的沉积板。分送板可限定穿过其的通路的图案，其进一步分送穿过分送歧管的升华的源材料。分送板在沉积期间的板温度下可具有大约0.7至理论上最大1.0的范围内的发射率。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 设备 方法 中的 发射 分送 | ||
【主权项】：
一种用于使升华的源材料的汽相沉积作为基底上的薄膜的设备，所述设备包括：沉积头；容器，其设置在所述沉积头中，所述容器被构造成用于接收源材料；加热分送歧管，其设置在所述容器下方，所述加热分送歧管被构造成将所述容器加热至足以使所述源材料在所述容器内升华的程度；以及沉积板，其设置在所述分送歧管下方并且在被传送穿过所述设备的基底的上表面的水平传送平面上方的限定距离处，所述分送板限定了穿过其的通路的图案，其进一步分送穿过所述分送歧管的所述升华的源材料，其中所述分送板在沉积期间的板温度下具有大约0.7至理论上最大1.0的范围内的发射率。
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