[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201280066749.5 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104040720A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 平林康弘;榊原明德 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制外来电荷的影响并且能够效率地进行制造。该半导体装置具有：有源区，其上形成有半导体元件；有源区与半导体基板的端面之间的外围区，在外围区的至少一部分的上表面上形成有绝缘层，在绝缘层内，沿着从有源区朝向半导体基板的端面的方向以隔开间隔的方式而配置有多个浮置电极，所述浮置电极在沿着从有源区朝向半导体基板的端面的方向以及半导体基板的厚度方向的截面中，沿着半导体基板的厚度方向而延伸并被相互分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置(10)，其具有半导体基板(12)，其中，半导体基板(12)具有：有源区(20)，其上形成有半导体元件；有源区(20)与半导体基板(12)的端面(12a)之间的外围区(50)，在外围区(50)的至少一部分的上表面上形成有绝缘层(58)，在绝缘层(58)内，沿着从有源区(20)朝向半导体基板(12)的端面(12a)的方向以隔开间隔的方式而配置有多个浮置电极(40)，所述浮置电极(40)的半导体基板(12)的厚度方向上的宽度大于从有源区(20)朝向半导体基板(12)的端面(12a)的方向上的宽度。
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