[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201280066800.2 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104040721A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 舩越康志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及该半导体装置的制造方法，在该半导体装置中，在半导体基板的表面形成有研磨粒痕，掺杂剂扩散区域具有沿与研磨粒痕的伸长方向形成的角度在－5°～+5°范围内的方向伸长的部分，掺杂剂扩散区域通过从设置于半导体基板的一侧表面的掺杂糊扩散掺杂剂而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板、和设置于所述半导体基板的一侧表面的掺杂剂扩散区域，在所述半导体基板的所述表面形成有研磨粒痕，所述掺杂剂扩散区域具有沿与所述研磨粒痕的伸长方向形成的角度在－5°～+5°范围内的方向伸长的部分，所述掺杂剂扩散区域通过从设置于所述半导体基板的一侧表面的掺杂糊扩散掺杂剂而形成。
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