[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201280067175.3 | 申请日： | 2012-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN104221151B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 川上刚史;浜田宪治;海老原洪平;古川彰彦;村上裕二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/266;H01L21/336;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具备在第1导电类型的半导体层(1)的上层部形成的活性区域；从活性区域的端缘部向外侧以包围活性区域的方式配设的多个电场缓和层，多个电场缓和层的第1电场缓和层和第2电场缓和层交替地邻接而分别配设多个，由邻接的第1电场缓和层和第2电场缓和层形成一组，第1电场缓和层以第1面密度被注入第2导电类型的杂质，其宽度随着从活性区域远离而变窄，第2电场缓和层以比第1面密度低的第2面密度被注入第2导电类型的杂质，其宽度随着从活性区域远离而变宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：活性区域，形成于第1导电类型的半导体层的上层部；和多个电场缓和层，以从所述活性区域的端缘部朝向外侧并包围所述活性区域的方式配设，所述半导体装置的特征在于，在所述多个电场缓和层中，第1电场缓和层和第2电场缓和层交替地邻接而分别配设多个，由邻接的所述第1电场缓和层和所述第2电场缓和层形成一组，所述第1电场缓和层以第1面密度被注入第2导电类型的杂质，其宽度随着从所述活性区域远离而变窄，所述第2电场缓和层以比所述第1面密度低的第2面密度被注入第2导电类型的杂质，其宽度随着从所述活性区域远离而变宽，所述多个电场缓和层从所述活性区域侧按照所述第1电场缓和层、所述第2电场缓和层的顺序配设。
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