[发明专利]半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置在审
| 申请号： | 201280068033.9 | 申请日： | 2012-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN104067394A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 桥本贵之;增永昌弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王亚爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了抑制半导体装置(10)的导通损耗和恢复损耗，半导体装置(10)设置有作为半导体基板的n型漂移层(11)、在半导体基板的表面设置的作为阳极区域的p型区域(12)以及n型区域(13)、在半导体基板的背面设置的作为阴极区域的高浓度n型区域(15)、以及阳极电极(1)。在该半导体基板的表面，具备p型区域(12)与n型区域(13)相邻的结构，p型区域(12)与阳极电极(1)相连接，n型区域(13)经由开关(14)与阳极电极(1)相连接。在该开关(14)的控制端子，连接有控制部(40)。在半导体装置(10)的导通状态下，控制部(40)将高频脉冲输出到开关(14)的控制端子，使开关(14)接通/断开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 使用 电力 变换 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第1导电型半导体基板；阳极区域，其设置于所述半导体基板的第1表面；第1导电型阴极区域，其设置于所述半导体基板的第2表面；和阳极电极，所述半导体装置的特征在于，在所述第1表面，具备第1导电型阳极区域与第2导电型阳极区域相邻的结构，所述第2导电型阳极区域与所述阳极电极相连接，所述第1导电型阳极区域经由开关与所述阳极电极相连接。
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