[发明专利]P‑型氧化物、用于制造P‑型氧化物的组合物、用于制造P‑型氧化物的方法、半导体元件、显示元件、图像显示装置、和系统有效
| 申请号： | 201280068524.3 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104094407B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 安部由希子;植田尚之;中村有希;高田美树子;松本真二;曾根雄司;早乙女辽一 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;C01G30/00;G02F1/1365;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/368;H01L29/786;H01L29/861;H01L29/868;H01L51/50;H05B33/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供p‑型氧化物，其包括氧化物，其中所述氧化物包括Cu；和元素M，其选自p区元素，并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态，和其中所述p‑型氧化物是非晶的。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 用于 制造 组合 方法 半导体 元件 显示 图像 显示装置 系统 | ||
【主权项】：
p‑型氧化物，其包括：氧化物，其中所述氧化物包括：Cu；和元素M，其选自p区元素，并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态，其中所述p‑型氧化物是非晶的，并且其中所述p‑型氧化物不包含零价Cu金属或零价Cu合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社理光，未经株式会社理光许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280068524.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
