[发明专利]杂配体金属络合物的制备

摘要

在此披露了一种用于制造具有通式[M(L)nL’]的过渡金属M的杂配体络合物的方法，其中M是Ir、Rh、Pt或Pd，对于M＝Ir或Rh时n为2，对于M＝Pt或Pd时n为1，并且L是二齿的环金属化的配体，该配体通过共价金属-C和配位的供体原子-金属键配位到金属M上，该反应是通过使具有通式[LnM(μ-X)2MLn]的卤代桥联二聚体与具有化学式L’-H的配体化合物，或通过使具有通式[L’nM(μ-X)2-ML’n]的卤代桥联二聚体与具有化学式L-H的配体化合物(其中(μ-X)代表桥联卤化物)，在有机溶剂和水的溶剂混合物中(其中该溶剂混合物包含大于25vol％的水)，在从50℃到260℃的温度下，在相对于通过卤代桥联二聚体引入到反应混合物中的卤化物X-离子的摩尔数从0至5摩尔当量的卤化物X-离子清除剂的存在下，以及在相对于卤代桥联二聚体中的过渡金属的摩尔量的从0到0.8摩尔的添加盐和在基于该溶剂混合物的总体积从0vol％到10vol％的增加卤代桥联二聚体在反应混合物中溶解度的增溶剂的存在下进行反应。

主权项

一种用于制造具有通式[M(L)nL’]的过渡金属M的杂配体络合物的方法，其中M是Ir、Rh或Pt，并且对于M＝Ir或Rh时n为2，并且对于M＝Pt时n为1，并且L是二齿的环金属化的配体，该配体通过共价金属‑C和配位的供体原子‑金属键配位到金属M上，并且L’是二齿的配体，该方法是通过使具有通式[LnM(μ‑X)2MLn]的卤代桥联二聚体与具有化学式L’‑H的配体化合物，或通过使具有通式[L’nM(μ‑X)2‑ML’n]的卤代桥联二聚体与具有化学式L‑H的配体化合物，其中(μ‑X)代表桥联卤化物，在有机溶剂和水的溶剂混合物中，其中该溶剂混合物包含大于25vol％的水，在从50℃到260℃的温度下，在相对于通过该卤代桥联二聚体引入到反应混合物中的卤化物X‑离子的摩尔数从0至5摩尔当量的卤化物X‑离子清除剂的存在下，以及在相对于该卤代桥联二聚体中的过渡金属的摩尔量从0到小于1摩尔的添加盐和在基于该溶剂混合物的总体积从0vol％到10vol％的增加该卤代桥联二聚体在反应混合物中溶解度的增溶剂的存在下进行反应。