[发明专利]光伏器件有效
| 申请号： | 201280070921.4 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN104145344A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 角村泰史;大钟章义;马场俊明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的光伏器件(100)具备结晶类半导体的衬底(10)和形成在衬底(10)的主面上的第一非晶层(12a)，在衬底(10)与第一非晶层(12a)的界面中，具有从与衬底(10)的界面附近起沿膜厚方向呈阶梯状地减少的p型掺杂物密度分布，从而，能够抑制复合中心的增加并且提高导电率，能够提高发电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 | ||
【主权项】：
一种光伏器件，其特征在于，包括：结晶类半导体的衬底；和形成在所述衬底的主面上的非晶态半导体层，所述非晶态半导体层具有从所述衬底与所述非晶态半导体层的界面附近起沿膜厚方向呈阶梯状地减少的p型掺杂物密度分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
