[发明专利]光电动势元件及其制造方法、太阳能电池模块

摘要

在背接触型的异质结型光电变换装置中，其目的在于，一并地制作包括p型非晶硅膜(4)正上方的电极和n型非晶硅膜(5)正上方的透明导电性氧化物的透明导电膜(6)，得到接近欧姆接触的接合。包括：在n型非晶硅膜(5)上以及p型非晶硅膜(4)上一并形成氧化物电极层的工序；以及在覆盖n型非晶硅膜(5)或者p型非晶硅膜(4)中的某一方的透明导电膜(6)上配置了掩模的状态下，向露出了的透明导电膜(6)照射等离子体的工序。

主权项

一种光电动势元件的制造方法，包括：在半导体晶体基板的一方的面的第1区域形成n型半导体层的工序；在所述一方的面的第2区域形成p型半导体层的工序；在包括所述n型半导体层以及所述p型半导体层的表面的所述一方的面，一并形成以氧化物为主成分的接触电极层的工序；调整所述第1区域上或者所述第2区域上的所述接触电极层的载流子浓度，以使所述第1区域上的所述接触电极层的载流子浓度大于所述第2区域上的所述接触电极层的载流子浓度的工序；以及断开所述第1区域上的所述接触电极层和所述第2区域上的所述接触电极层的工序。