[发明专利]在NAND快闪存储器的写入操作期间通过均衡和调整源极、阱和位线的电荷循环

摘要

在非易失性存储器装置中，通常，写入由交替的一组脉冲操作和验证操作组成。在脉冲结束时，为了准确的验证，装置必须被适当偏置，在验证之后，装置为下一脉冲而被再次偏置。在脉冲阶段与验证阶段之间的间隔被考虑。对于脉冲之后但在建立验证条件之前的间隔，源极、位线以及可选择地，阱可被均衡然后被调整在所需的DC电平处。在验证阶段之后但在为下一脉冲而将偏置施加至存储器之前，源极和位线可被均衡在DC电平处。在一些情形中，非易失性存储器由交替的一组脉冲编程，但是对于至少一些脉冲而言没有任何中间验证操作。在一个脉冲之后但在为下一脉冲偏置存储器之前没有中间验证，源极电平和位线电平可被留下进行浮动。

主权项

一种对非易失性存储器电路进行编程的方法，所述非易失性存储器电路具有根据NAND型结构沿多条位线和多条字线形成的非易失性存储器单元，所述方法包括：对沿已选择的字线的所述存储器单元执行交替的多个脉冲操作和验证操作，其中脉冲操作包括：分别将所述位线偏置在多个值中的一个值处，所述多个值包括编程禁止电平和编程使能电平；将用于所述位线的公共源极线偏置在第一非零电压电平处；以及在所述位线和所述公共源极线被如此偏置的同时，将编程脉冲施加至所述已选择的字线；并且其中验证操作包括：将所述位线偏置在验证电平处；以及同时地将所述公共源极线偏置在第二非零电压电平处；以及在所述脉冲操作之后并且在随后的所述验证操作之前，将所述位线和所述公共源极线均衡在非零电压电平处。