[发明专利]光半导体器件有效
| 申请号： | 201280071341.7 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104170189B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 秋山知之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/50 | 分类号： | H01S5/50;H01S5/14 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金相允;向勇 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的光半导体器件，具有半导体衬底上的激光振荡器和所述半导体衬底上的光调制器；所述激光振荡器的一对反射镜中的至少一个反射镜为环形镜，所述环形镜具有环形波导路径和在所述环形波导路径上串联插入的多个第一环谐振器；所述光调制器具有沿着调制器波导路径级联连接的多个第二环谐振器；所述第一环谐振器的通频带宽度设定为比所述第二环谐振器的通频带宽度更宽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种光半导体器件，其特征在于，所述光半导体器件具有半导体衬底上的激光振荡器和所述半导体衬底上的光调制器；所述激光振荡器的一对反射镜中的至少一个反射镜为环形镜，所述环形镜具有环形波导路径和在所述环形波导路径上串联插入的多个第一环谐振器；所述光调制器具有沿着调制器波导路径级联连接的多个第二环谐振器；所述第一环谐振器的通频带宽度设定为比所述第二环谐振器的通频带宽度更宽。
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