[发明专利]控制微粒附着在被处理基体上的方法和处理装置有效
| 申请号： | 201280071768.7 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN104205306B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 谷川雄洋;茂山和基 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括在将被处理基体搬入处理容器内之前，对在该处理容器内静电吸附被处理基体的静电卡盘施加电压的工序；和在对静电卡盘施加电压的工序之后，向处理容器内搬入被处理基体的工序。另外，在对静电卡盘施加电压的工序中，对静电卡盘施加电压，使以包围静电卡盘的方式设置的聚焦环与被处理基体之间的电位差降低。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 微粒 附着 处理 基体 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种控制微粒附着在被处理基体上的方法，其特征在于，包括：在将被处理基体搬入处理容器内之前，对在该处理容器内静电吸附被处理基体的静电卡盘施加第一电压的工序；在对所述静电卡盘施加第一电压的工序之后，向所述处理容器内搬入被处理基体，并将所述被处理基体载置于所述静电卡盘上的工序；和在所述被处理基体载置于所述静电卡盘后，对所述静电卡盘施加用于使所述静电卡盘吸附保持所述被处理基体的第二电压的工序，在对所述静电卡盘施加第一电压的工序中，对所述静电卡盘施加作为具有比所述第二电压的绝对值小的绝对值的负电压的第一电压，使以包围所述静电卡盘的方式设置的聚焦环与被处理基体之间的电位差降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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