[发明专利]包括抗谐振波导的混合激光器有效

专利信息
申请号: 201280071826.6 申请日: 2012-03-26
公开(公告)号: CN104205533B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: H·朴 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01S5/20 分类号: H01S5/20;H01S5/10
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 姬利永
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了包括包含抗谐振波导的混合激光器的装置和系统以及用于制作这种装置和系统的方法的实施例。混合激光器装置可包括第一半导体区域,包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域;以及与该第一半导体区域耦合并且具有光波导的第二半导体区域,第一沟槽被布置在该光波导的第一侧,并且第二沟槽被布置在该光波导的与该第一侧相对的第二侧。可描述和/或要求保护其他实施例。
搜索关键词: 包括 谐振 波导 混合 激光器
【主权项】:
一种混合激光器装置,包括:第一半导体区域,包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域;以及第二半导体区域,与所述第一半导体区域耦合,其中所述第二半导体区域至少包括埋入绝缘层和设置在所述埋入绝缘层上的硅层,并且还包括光波导,被布置在所述光波导的第一侧的第一沟槽,被布置在所述光波导的与所述第一侧相对的第二侧的第二沟槽,被布置在所述光波导的所述第一侧使得所述第一沟槽在第三沟槽和所述光波导之间的第三沟槽,以及被布置在所述光波导的所述第二侧使得所述第二沟槽在第四沟槽和所述光波导之间的第四沟槽,其中所述第一、第二、第三、第四沟槽设置在所述硅层内以使所述硅层的部分位于相应沟槽与所述埋入绝缘层之间。
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