[发明专利]能量存储设备、制造其的方法以及包含其的移动电子设备有效
| 申请号： | 201280071862.2 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104170037B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | D.S.加德纳;C.平特;S.B.克伦德宁 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马红梅;姜甜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种能量存储设备包括：第一多孔半导体结构（510），其包括第一多个沟道（511），所述第一多个沟道包含第一电解质（514）；以及第二多孔半导体结构（520），其包括第二多个沟道（521），所述第二多个沟道包含第二电解质（524）。在一个实施例中，所述能量存储设备还包括所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜（535），所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质至少之一包含多个金属离子。在另一实施例中，所述第一电解质和所述第二电解质合在一起包括氧化还原系统。 | ||
| 搜索关键词： | 能量 存储 设备 制造 方法 以及 包含 移动 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种能量存储设备，包括：第一多孔半导体结构，其包括第一多个沟道，所述第一多个沟道包含第一电解质；第二多孔半导体结构，其包括第二多个沟道，所述第二多个沟道包含不同于所述第一电解质的第二电解质；以及所述第一多孔半导体结构和所述第二多孔半导体结构至少之一上的膜，所述膜包括能够展示可逆电子转移反应的材料以用于增强存储在所述能量存储设备中的电荷的量。
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