[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法、太阳能电池组件

摘要

本发明涉及太阳能电池及太阳能电池的制造方法、太阳能电池组件。所述太阳能电池具备：在一面侧具有第2导电型的杂质元素扩散了的杂质扩散层的第1导电型的半导体衬底；在杂质扩散层上形成了的由上述半导体衬底的材料的氧化膜构成的钝化膜；由具有与上述氧化膜不同的折射率的透光性材料构成、在钝化膜上形成了的防反射膜；与杂质扩散层电连接而在半导体衬底的一面侧形成了的受光面侧电极；和在上述半导体衬底的另一面侧形成了的背面侧电极，杂质扩散层包括：为受光区域且以第1浓度含有杂质元素的第1杂质扩散层和为受光面侧电极的下部区域且以比第1浓度高的第2浓度含有杂质元素的第2杂质扩散层，第1杂质扩散层和第2杂质扩散层的表面形成为均匀的表面状态，第2杂质扩散层上的钝化膜的膜厚比第1杂质扩散层上的钝化膜的膜厚还薄。

主权项

一种太阳能电池，其特征在于，具备：在一面侧具有第2导电型的杂质元素扩散了的杂质扩散层的第1导电型的半导体衬底；在所述杂质扩散层上形成了的由所述半导体衬底的材料的氧化膜构成的钝化膜；由具有与所述氧化膜不同的折射率的透光性材料构成、在所述钝化膜上形成了的防反射膜；与所述杂质扩散层电连接而在所述半导体衬底的一面侧形成了的受光面侧电极；和在所述半导体衬底的另一面侧形成了的背面侧电极，所述杂质扩散层包含：为受光区域且以第1浓度含有所述杂质元素的第1杂质扩散层、和为所述受光面侧电极的下部区域且以比所述第1浓度高的第2浓度含有所述杂质元素的第2杂质扩散层，所述第1杂质扩散层和所述第2杂质扩散层为通过水蒸气氧化或热解氧化将所述半导体基板的一面侧氧化而由此形成，所述第1杂质扩散层和所述第2杂质扩散层的表面为均匀的表面状态，所述第2杂质扩散层上的所述钝化膜的膜厚比所述第1杂质扩散层上的所述钝化膜的膜厚薄。