[发明专利]Cu‑SAPO‑34的直接合成法

摘要

Cu‑SAPO‑34的直接合成法，其包括至少下列步骤制备含有水、至少一种硅源、至少一种Al源、至少一种P源、至少一种Cu源、至少一种OSDA1（其中OSDA1是任何多胺）和至少一种OSDA2（其中OSDA2是能够引导SAPO‑34的合成的任何有机分子）的混合物；且其中最终合成混合物具有下列摩尔组成a Si0.5 Alb Pc Cud OSDA1e OSDA2f H2O，其中a为0.01至0.3；其中b为0.2至0.49；其中c为0.001至0.6；其中d为0.001至0.6；其中e为0.001至2；其中f为1至200；在80‑200℃下水热处理所述混合物直至形成结晶材料，和回收所述结晶材料。

主权项

Cu‑SAPO‑34的直接合成法，其包括下列步骤：(i)制备含有水、至少一种硅源、至少一种Al源、至少一种P源、至少一种Cu源、至少一种OSDA1和至少一种OSDA2的合成混合物，其中所述OSDA1是选自四亚乙基五胺、三亚乙基四胺、1，4，8，11‑四氮杂环十四烷或1，4，8，11‑四甲基‑1，4，8，11‑四氮杂环十四烷的多胺，其中所述OSDA2是不同于多胺的并且能够引导SAPO‑34的合成的有机化合物，最终合成混合物具有下列摩尔组成：a Si：0.5Al：b P：c Cu：d OSDA1：e OSDA2：f H2O其中a为0.01至0.3；其中b为0.2至0.49；其中c为0.001至0.6；其中d为0.001至0.6；其中e为0.001至2；其中f为1至200；(ii)在80‑200℃下水热处理所述混合物直至形成结晶材料，(iii)回收所述结晶材料，(iv)从所述结晶材料中除去OSDA1和OSDA2。