[发明专利]半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280073539.9 申请日: 2012-09-14
公开(公告)号: CN104321866A 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 绀野顺平;西田隆文;坂田贤治;木下顺弘;杉山道昭;木田刚;小野善宏 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L21/60;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;王娟娟
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体器件的制造方法,在布线衬底上,通过粘接材料分别层叠俯视时的平面尺寸不同的第一半导体芯片和第二半导体芯片,其中,在平面尺寸相对小的第一半导体芯片上搭载平面尺寸相对大的第二半导体芯片。另外,搭载了第一及第二半导体芯片之后,用树脂封固第一及第二半导体芯片。这里,第二半导体芯片和布线衬底的间隙用树脂封固之前,预先通过搭载第一及第二半导体芯片时使用的粘接材料填塞。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括以下工序:(a)准备布线衬底的工序,该布线衬底具有第一面、形成在所述第一面上的多个接合引线、与所述第一面相反侧的第二面、及形成在所述第二面上且分别与所述多个接合引线电连接的多个接合区;(b)将第一粘接材料配置在所述布线衬底的所述第一面上的工序;(c)在所述(b)工序之后,将第一半导体芯片以所述第一半导体芯片的第一表面与所述布线衬底的所述第一面相对的方式通过所述第一粘接材料搭载在所述布线衬底的所述第一面上,并电连接所述多个接合引线和多个第一表面电极的工序,其中,所述第一半导体芯片具有所述第一表面、形成在所述第一表面上的所述多个第一表面电极、与所述第一表面相反侧的第一背面、形成在第一背面上的多个第一背面电极、及以从所述第一表面和所述第一背面中的一方朝向另一方贯穿的方式分别形成且分别电连接所述多个第一表面电极和所述多个第一背面电极的多个贯通电极;(d)在所述(c)工序之后,在所述第一半导体芯片的所述第一背面上及从所述第一半导体芯片露出的所述第一粘接材料的表面上,配置第二粘接材料的工序;(e)在所述(d)工序之后,将第二半导体芯片以所述第二半导体芯片的第二表面与所述第一半导体芯片的所述第一背面相对的方式通过所述第二粘接材料搭载在所述第一半导体芯片上,并电连接所述多个第一背面电极和多个第二表面电极的工序,其中,所述第二半导体芯片具有所述第二表面、形成在所述第二表面上的所述多个第二表面电极、及与所述第二表面相反侧的第二背面;(f)在所述(e)工序之后,通过树脂封固所述布线衬底的所述第一面、所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片的工序,其中,所述第二半导体芯片的平面尺寸比所述第一半导体芯片的平面尺寸大,在所述(e)工序之后且在所述(f)工序之前,所述第二半导体芯片中的与所述第一半导体芯片不重合的部分和所述布线衬底的所述第一面之间被所述第一粘接材料及第二粘接材料填塞。
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