[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

目的在于得到一种抑制缺陷的产生、光电变换效率高的太阳能电池。该太阳能电池具备形成有金字塔状的凹凸部P的n型单晶硅基板1的单晶体等的硅基板、和在该单晶硅基板上形成的非晶质或者微晶半导体层，在所述单晶硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部P的谷部形成了平坦部F。通过该结构，能够使由大致(111)面形成的70～85°的陡峭的凹部角度广角化为115～135°。因此，能够消除由倒角形状所引起的原子台阶状的形状变化，能够抑制非晶质或者微晶半导体层中的外延生长以及缺陷。

主权项

一种晶体系太阳能电池，在第一导电类型的晶体系硅基板的表面形成有第二导电类型的半导体层，其中在该第一导电类型的晶体系硅基板的表面形成了具有大量金字塔状的凹凸部的纹理构造，该太阳能电池的特征在于，在所述晶体系硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部的谷部具有平坦部，所述金字塔状的凹凸部的谷部被所述平坦部包围以使得能够降低所述纹理构造的谷的形状所引起的特性劣化。