[发明专利]多级单元存储器在审
| 申请号： | 201280074302.2 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN104380383A | 公开（公告）日： | 2015-02-25 |
| 发明（设计）人： | N.穆拉利马诺哈;H.B.庸;N.P.朱皮 | 申请（专利权）人： | 慧与发展有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;徐红燕 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多级单元存储器，包括：存储器单元，其存储两个或更多位的信息；感测电路，其耦合到存储器单元；以及行缓冲器结构，其包括分页缓冲器，所述分页缓冲器具有第一页缓冲器和第二页缓冲器。感测电路进行操作以读自和写至存储器设备，将第一位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中，并且将第二位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 单元 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种多级单元存储器，包括：存储器单元，其存储两个或更多信息位；感测电路，其耦合到存储器单元，其中感测电路进行操作以从存储器单元读取；行缓冲器结构，其包括分页缓冲器，所述分页缓冲器具有第一页缓冲器和第二页缓冲器，其中感测电路将第一位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中，并且其中感测电路将第二位置于第一页缓冲器和第二页缓冲器之一中。
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