[发明专利]第III族氮化物半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种显示出优异的散热性的第III族氮化物半导体器件。还提供了一种第III族氮化物半导体器件的制造方法，使用其可以以较高产率制造前述第III族氮化物半导体器件。所述第III族氮化物半导体器件(100)的制造方法包括：在生长用基板上形成：通过将n层(108)、活性层(110)和p层(112)依次层压来形成的半导体结构部(114)；在所述半导体结构部(114)的所述p层侧上形成支持体(146)，所述支持体(146)包括：电连接至所述n层并且用作n侧电极的第一支持体(136)、电连接至所述p层并且用作p侧电极的第二支持体(138)、和由用于将所述第一和第二支持体(136,138)绝缘的绝缘体形成的结构物(128,140)；将所述生长用基板通过使用剥离法来剥离。将所述第一支持体(136)和所述第二支持体(138)通过沉积来生长。

主权项

一种第III族氮化物半导体器件的制造方法，所述方法包括：在生长用基板上形成通过将第一导电型第III族氮化物半导体层、活性层和第二导电型第III族氮化物半导体层依次堆叠而获得的半导体结构部的第一步骤；通过将所述第二导电型第III族氮化物半导体层和所述活性层部分地除去而部分地露出所述第一导电型第III族氮化物半导体层的第二步骤；将第一接触层形成在所述第一导电型第III族氮化物半导体层的露出部上并且将第二接触层形成在所述第二导电型第III族氮化物半导体层的露出部上的第三步骤；将绝缘层形成在露出的所述半导体结构部、所述第一接触层和所述第二接触层上的第四步骤，其中所述第一接触层的一部分和所述第二接触层的一部分露出；将由绝缘体制成的第一结构物形成在所述绝缘层的一部分上横断露出表面，因此通过所述第一结构物，将所述露出表面分为具有所述第一接触层的露出部的第一露出表面和具有所述第二接触层的露出部的第二露出表面的第五步骤；从所述第一和第二露出表面各自生长镀覆层，因此将与所述第一接触层的露出部接触的用作第一电极的第一支持体形成在所述第一露出表面上，并且将与所述第二接触层的露出部接触的用作第二电极的第二支持体形成在所述第二露出表面上的第六步骤；和将所述生长用基板使用剥离法来分离的第七步骤，因此制造了具有由包括所述第一和第二支持体和所述第一结构物的支承体来支承的所述半导体结构部的第III族氮化物半导体器件。