[发明专利]电子零件用金属材料及其制造方法在审
| 申请号： | 201280076224.X | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104685102A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 涉谷义孝;深町一彦;儿玉笃志 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C30/00 | 分类号： | C23C30/00;C22C5/06;C22C5/08;C22C9/00;C22C9/02;C22C9/04;C22C13/00;C22C13/02;C22C19/03;C22C19/05;C25D3/02;C25D3/12;C25D7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低插拔性、低晶须性及高耐久性的电子零件用金属材料及其制造方法。本发明的电子零件用金属材料10具备基材11、A层14、及B层13：该A层14构成基材11的最表层，且由Sn、In或它们的合金所形成；及该B层13设置在基材11与A层14之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金所形成；且最表层（A层）14的厚度厚于0.2μm，中层（B层）13的厚度为0.001μm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子零件 金属材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
电子零件用金属材料，其具有低晶须性及高耐久性，且具备基材、A层、及B层，所述A层构成所述基材的最表层，且由Sn、In或它们的合金所形成；所述B层设置在所述基材与A层之间而构成中层，且由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或它们的合金所形成；所述最表层（A层）的厚度厚于0.2 μm，所述中层（B层）的厚度为0.001 μm以上。
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