[发明专利]使用氧离子注入法形成太阳能电池中的间隔物

摘要

本发明公开了一种太阳能电池(200)。所述太阳能电池(200)具有在正常工作期间面向太阳的正面(202)，和背向太阳的背面(204)。所述太阳能电池包括硅基板(210)、位于所述基板(210)的背面上的具有掺杂多晶硅区(227)的第一多晶硅层。所述太阳能电池还包括位于所述硅基板(210)的所述背面上的具有第二掺杂多晶硅区(229)的第二多晶硅层。所述第二多晶硅层至少部分覆盖所述掺杂多晶硅区。所述太阳能电池(200)还包括设置在所述第一多晶硅层中的电阻区(224)。所述电阻区(224)从所述第二掺杂多晶硅区(229)的边缘延伸。所述电阻区(224)可通过将氧离子注入到所述第一多晶硅层中来形成。

主权项

一种太阳能电池，具有在正常工作期间面向太阳的正面和背向太阳的背面，所述太阳能电池包括：具有正面和背面的硅基板；第一多晶硅层，所述第一多晶硅层设置在所述硅基板的所述背面上，所述第一多晶硅层具有第一掺杂多晶硅区；设置在所述硅基板的所述背面上的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层包括第二掺杂多晶硅区，所述第二区被设置为至少部分覆盖所述第一掺杂多晶硅区，所述第二区包括与所述第一区相反的极性；设置在所述第一多晶硅层中的电阻区，所述电阻区从所述第二掺杂多晶硅区的边缘延伸，所述电阻区包括至少[1x10¹⁶cm^‑2]的氧浓度；设置在所述第二多晶硅层上方的第一金属格栅，所述第一金属格栅电连接到至少所述第二掺杂多晶硅区；位于所述第一金属格栅与所述第二多晶硅层之间的第一电介质层，所述第一金属格栅通过穿过所述第一电介质层的至少一个接触孔电连接到所述第二掺杂多晶硅区；和电连接到所述第一掺杂多晶硅区的第二金属格栅，其中所述第一金属格栅和所述第二金属格栅形成在所述太阳能电池的所述背面上。