[发明专利]具有颗粒耐受层延伸部的流体喷射装置有效
申请号: | 201280077864.2 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN104853923A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | R.里瓦斯 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
主分类号: | B41J2/045 | 分类号: | B41J2/045;B41J2/14;B41J2/145 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 崔幼平;董均华 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在一个实施例中,流体喷射装置包括形成于基底上方的薄膜层。涂底层形成于薄膜层上方,并且室层形成于涂底层上方,涂底层限定通往发射室的流体通道。所述流体喷射装置包括狭槽,该狭槽延伸穿过基底并且通过薄膜层中的进墨孔进入室层。所述流体喷射装置也包括涂底层的颗粒耐受延伸部,其突出到狭槽中。在一些实施中,颗粒耐受涂底层延伸部延伸横跨狭槽的整个宽度。 | ||
搜索关键词: | 具有 颗粒 耐受 延伸 流体 喷射 装置 | ||
【主权项】:
一种流体喷射装置,包括:薄膜层,其形成于基底上方;涂底层,其形成于所述薄膜层上方;室层,其形成于所述涂底层上方且限定通往发射室的流体通道;狭槽,其延伸穿过所述基底并且通过所述薄膜层中的进墨孔进入所述室层;以及所述涂底层的颗粒耐受延伸部,其突出到所述狭槽中。
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