[其他]微测辐射热计及焦平面阵列有效

专利信息
申请号: 201290000696.2 申请日: 2012-06-08
公开(公告)号: CN203772422U 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: R·F·卡纳塔;Y·佩特雷蒂斯;P·富兰克林;R·西梅斯;R·E·玻恩弗洛恩德 申请(专利权)人: 菲力尔系统公司
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20;H01L27/146
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张春媛;阎娬斌
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本文公开了微测辐射热计及焦平面阵列。微测辐射热计包括底部多层电介质(510),其具有第一氮氧化硅层(514)和位于第一氮氧化硅层(514)之上的第二氮氧化硅层(516),第一(514)和第二(516)氮氧化硅层具有不同的折射率。该微测辐射热计还包括位于底部多层电介质(510)之上的探测器层(520)和位于探测器层(520)之上的顶部电介质(530),其中该探测器层(520)由温敏电阻材料组成。
搜索关键词: 辐射热 平面 阵列
【主权项】:
一种微测辐射热计,包括: 底部多层电介质,其包括第一氮氧化硅层和位于第一氮氧化硅层之上的第二氮氧化硅层,第一和第二氮氧化硅层具有不同的折射率; 位于底部多层电介质之上的探测器层,该探测器层由温敏电阻材料组成;及 位于探测器层之上的顶部电介质。 
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