[发明专利]制作亚波长抗反射结构和亚波长抗反射结构压模的方法无效
| 申请号： | 201310000818.9 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103048707A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 董晓轩;申溯;陈林森 | 申请（专利权）人： | 苏州大学;苏州苏大维格光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;G03F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种亚波长抗反射结构的制作方法，该制作方法利用化学氧化还原反应制备的金属层在快速退火时金属层会发生自凝聚现象，然后金属层形成纳米结构的金属粒子；再利用金属粒子作为干法刻蚀的掩模进行干法刻蚀，最后形成亚波长的抗反射结构。本发明的制作方法，可以制作高效的亚波长抗反射纳米结构；具有广角宽谱的抗反射效果；采用湿法制作金属掩模降低了生产设备成本，同时工艺方法成本低廉，制作简单，并可实现大面积的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 波长 反射 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种亚波长抗反射结构的制作方法，其特征在于：包括步骤a）利用化学氧化还原反应沉积金属层的方法，在单面抛光的基片上沉积一层金属层；b）将沉积有金属层的基片进行快速退火处理，经过退火处理的金属层形成纳米金属粒子，该纳米金属粒子在所述基片表面呈随机分布，且纳米金属粒子之间的间隔处于亚波长范围；c）以所述纳米金属粒子为掩模，对所述基片进行干法刻蚀，将将纳米金属粒子的分布图形转移到基片上，在基片上形成具有非周期性的亚波长光栅结构；d）清洗掉纳米金属粒子并将基片清洗干净之后，获得所述亚波长抗反射结构。
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