[发明专利]具有内晶圆载体缓冲区的半导体装置和方法有效

专利信息
申请号: 201310001145.9 申请日: 2013-01-04
公开(公告)号: CN103681405B 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 沈宪聪;黄文郁;柯力仁;沈香吟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供了一种半导体加工装置的一个实施例。该半导体加工装置包括被设计成接收晶圆载体的装载锁;被配置成保持从装载锁接收的晶圆载体并对该晶圆载体实施氮气净化的内晶圆载体缓冲区以及被设计成对来自晶圆载体的晶圆实施半导体工艺的加工模块。本发明还提供了一种具有内晶圆载体缓冲区的半导体装置和方法。
搜索关键词: 具有 内晶圆 载体 缓冲区 半导体 装置 方法
【主权项】:
一种半导体加工装置,包括:装载锁,被设计成接收能够运载多个晶圆的晶圆载体;内晶圆载体缓冲区,被配置成保持从所述装载锁接收的所述晶圆载体并对所述晶圆载体实施氮气净化;外传送单元,位于所述内晶圆载体缓冲区外部并且和所述内晶圆载体缓冲区一起位于封闭区域中,并且所述外传送单元被配置为将所述晶圆载体从所述装载锁传送至所述内晶圆载体缓冲区;以及加工模块,被设计成对来自所述晶圆载体的晶圆实施半导体工艺,其中,所述外传送单元还配置为从所述内晶圆载体缓冲区向所述加工模块传送所述晶圆载体。
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