[发明专利]一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺

摘要

本发明公开了一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺，包括如下步骤:（1）硅片表面进行清洗，并进行织构化处理；（2）将待处理硅片放于扩散炉中，升温至750-800℃，扩散炉内环境为氮气气氛，氮气流量为10-25L/min；（3）待温度稳定后，对硅片表面进行氧化预处理；（4）进行磷源的沉积；（5）关闭磷源，升高温度至800-900℃，进行无源推进；（6）扩散结束，将石英舟退出。本发明采用了低温沉积高温推进以及二次沉积的方法在保证硅片表面掺杂浓度的前提下，使得“死层”的浓度降低，从而提高了太阳能电池的电性能。

主权项

一种应用于晶体硅太阳电池中的制备发射极的扩散工艺，其特征在于：包括如下步骤:（1）硅片表面进行清洗，并进行织构化处理；（2）将待处理硅片放于扩散炉中，升温至750‑800℃ ，扩散炉内环境为氮气气氛，氮气流量为10‑25L/min；（3）待温度稳定后，对硅片表面进行氧化预处理；（4）进行磷源的沉积；（5）关闭磷源，升高温度至800‑900℃，进行无源推进；（6）扩散结束，将石英舟退出。