[发明专利]一种单晶硅的气相外延生长方法无效
| 申请号： | 201310002174.7 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103074672A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 向勇;臧亮;闫宗楷;刘振鹏 | 申请（专利权）人： | 向勇 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种单晶硅的气相外延生长方法，属于半导体制造领域，该方法可以有效解决单晶硅制作过程复杂和能耗较高的问题，包括以下步骤：a、提供可供预处理的基底；b、清洗；c、提供可供单晶硅外延生长的腔体，腔体内设有基底储放装置，并将基底放置于基底储放装置上；d、向腔体内通入还原性气体，并将腔体内压强和温度调至所需压强和温度；e、向腔体内通入气态硅源，在基底表面生成预设厚度的牺牲层；f、在牺牲层上方形成单晶硅层；g、将单晶硅层和牺牲层的连接体与基底分离。本发明的单晶硅的气相外延生长方法，降低了能耗和复杂程度，操作过程易控制，而且降低了工艺成本，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅的气相外延生长方法，其特征是，包括以下步骤：a、提供可供预处理的基底b、清洗c、提供可供单晶硅外延生长的腔体，腔体内设有基底储放装置，并将基底放置于基底储放装置上；d、向腔体内通入还原性气体，并将腔体内压强和温度调至所需压强和温度e、向腔体内通入气态硅源，并通过气相沉积工艺在基底表面生成预设厚度的牺牲层f、在牺牲层上方形成单晶硅层；g、将基底、牺牲层和单晶硅层冷却后放入去离子水中，通过超声波振动将单晶硅层和牺牲层的连接体与基底分离；所述的牺牲层为初步在基底表面生成的晶格有缺陷的单晶硅，即晶体中有些空位没有填满。
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