[发明专利]纳米线浮栅晶体管有效
| 申请号： | 201310002191.0 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103199115A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | S·邦萨伦提普;G·M·科昂;A·马宗达;J·W·斯雷特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及浮栅晶体管、存储单元以及制造器件的方法。所述浮栅晶体管包括基本上为圆柱形形式的一条或多条栅控线。所述浮栅晶体管包括至少部分地覆盖所述栅控线的第一栅极介电层。所述浮栅晶体管还包括间断地设置在所述第一栅极介电层上的多个栅极晶体。所述浮栅晶体管还包括覆盖所述多个栅极晶体和所述第一栅极介电层的第二栅极介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 线浮栅 晶体管 | ||
【主权项】：
一种浮栅晶体管，包括：至少一条栅控线，其基本上为圆柱形形式；第一栅极介电层，其至少部分地覆盖所述至少一条栅控线；多个栅极晶体，其被间断地设置在所述第一栅极介电层上；以及第二栅极介电层，其覆盖所述多个栅极晶体和所述第一栅极介电层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310002191.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：系统级光电结构及其制作方法
- 下一篇：半导体装置的制造方法以及接合装置
- 同类专利
- 专利分类
