[发明专利]辐射探测器及辐射探测装置有效

专利信息
申请号: 201310004796.3 申请日: 2013-01-07
公开(公告)号: CN103913763A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 李玉兰;张岚;李元景;刘以农;牛莉博;傅楗强;江灏;张韡;刘延青;李军 申请(专利权)人: 同方威视技术股份有限公司;清华大学
主分类号: G01T1/36 分类号: G01T1/36
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蔡纯
地址: 100084 北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种辐射探测器及包括该辐射探测器的辐射探测装置。辐射探测器包括:用于感测辐射的半导体晶体,所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面;位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极;位于半导体晶体的底部表面的第二阳极;以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。辐射探测装置包括该辐射探测器和信号处理电路。该辐射探测器利用结构简单的双阳极结构实现了单电荷灵敏特性,从而改善能量分辨率。
搜索关键词: 辐射 探测器 探测 装置
【主权项】:
一种辐射探测器,包括:用于感测辐射的半导体晶体,所述半导体晶体包括顶部表面、底部表面和至少一个侧面;位于半导体晶体的顶部表面的第一阳极;位于半导体晶体的底部表面的第二阳极;以及位于半导体晶体的至少一个侧面的阴极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同方威视技术股份有限公司;清华大学,未经同方威视技术股份有限公司;清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310004796.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top