[发明专利]LED芯片切割方法及其制备的LED芯片

摘要

本发明公开了一种基于侧壁腐蚀的LED芯片切割方法，LED晶圆经过正面激光划片、侧壁腐蚀后，按照正常的LED芯片制造流程完成芯片制造；晶圆减薄、背镀后进行背面激光隐形切割，控制隐形切割线位置使其与正面划片线错开；裂片时在应力诱导下，晶粒侧壁将出现一斜裂面，更有利于侧面出光，增加芯片的整体光通量而不影响芯片的外观和电性。进一步的还公开了一种根据以上所述的LED芯片切割方法所制备的LED芯片，LED芯片的边缘呈具有斜裂面的“ㄣ”形断面。半导体衬底GaN晶圆在经过芯片侧壁腐蚀工艺后，结合激光隐形切割制作出“ㄣ”形断面，从增加侧壁出光量的方面增加整个LED芯片的亮度。

主权项

一种LED芯片切割方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）提供具有GaN外延发光层的半导体衬底，在半导体衬底正面进行激光划片形成沟槽以分割晶粒，采用湿法腐蚀方法腐蚀激光烧蚀区域以在沟槽内形成粗化表面，在此基础上完成后续芯片制造；（2）将半导体衬底减薄、抛光之后再镀制背面反射镜；（3）在半导体衬底背面进行激光隐形切割，切割位置与半导体衬底正面的沟槽在水平方向上错开；（4）沿隐形切割位置将芯片劈裂开，此时沿半导体衬底正面的沟槽底部与半导体衬底背面的隐形切割位置之间裂开形成具有斜裂面的“ㄣ”形断面。