[发明专利]基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘及其制造方法无效
| 申请号： | 201310005350.2 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103117070A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李兴鳌;赵晋阳;李晓峰;陈晃毓;潘聪;王志姣;杨涛;杨建平;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G11B7/241 | 分类号： | G11B7/241;G11B7/26 |
| 代理公司： | 江苏爱信律师事务所 32241 | 代理人： | 唐小红 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘及其制造方法，该双面光盘主要分为五层，依次包括第一基板（1）、第一记录层（2）、吸收层（3）、第二记录层（4）和第二基板（5）；第一基板（1）和第二基板（5）分别是光盘的第一层和第五层，第一记录层（2）和第二记录层（4）分别是光盘的第二层和第四层，吸收层（3）是光盘的第三层，它是吸收多余红外线的区域，将透过第一记录层（2）和第二记录层（4）的多余红外线吸收。本发明将氮化铜的这种低温热分解特性运用到光盘中，并且对光盘的结构进行改良，制作出全新且无毒的基于氮化铜的一次写入型双面光盘。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化 薄膜 一次 写入 双面 光盘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氮化铜薄膜的一次写入型双面光盘，其特征在用于该双面光盘主要分为五层，依次包括第一基板（1）、第一记录层（2）、吸收层（3）、第二记录层（4）和第二基板（5）；第一基板（1）和第二基板（5）分别是光盘的第一层和第五层，它们是光盘其它部分的载体，也是整个光盘的物理外壳；第一记录层（2）和第二记录层（4）分别是光盘的第二层和第四层，它们是烧录时刻录信号的地方，利用磁控溅射方法制备的氮化铜薄膜一次性光存储介质，由于烧录前后的反射率不同，读取不同长度的信号时，通过反射率的变化形成0与1信号，借以读取信息；吸收层（3）是光盘的第三层，它是吸收多余红外线的区域，将透过第一记录层（2）和第二记录层（4）的多余红外线吸收。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310005350.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有磨砂层的不锈钢带
- 下一篇：瓶盖进料机构
