[发明专利]一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法有效
| 申请号： | 201310005426.1 | 申请日： | 2013-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103066157A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;张永刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，通过在InP基普通InGaAs半导体异变缓冲层上外延一层反向失配超薄外延层来实现降低异变材料表面粗糙度，其厚度不超过异变缓冲层上反向失配外延层的临界厚度，一般为0.5-5nm。本发明不需要在过低的生长温度下生长材料，避免引入多余背景杂质，工艺简单，成本低，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 inp ingaas 材料 表面 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，包括：（1）采用常规分子束外延方法在InP衬底上生长InGaAs组分渐变异变缓冲层；（2）在组分渐变异变缓冲层上生长反向失配超薄外延层用于降低材料的表面粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
