[发明专利]用于微机电系统显示架构的低范围位深度增强的方法及设备无效
| 申请号： | 201310005807.X | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103021350A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·布莱恩·桑普塞尔 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | G09G3/34 | 分类号： | G09G3/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的领域涉及微机电系统(MEMS)。在一个实施例中提供了一种装置，其包含：第一电导管；第二电导管；以及包含多个显示器元件的像素，所述多个显示器元件包含：第一显示器元件，其与所述第一电导管和第二电导管通信；以及第二显示器元件，其与所述第一电导管和第二电导管通信；其中，所述像素包括高强度范围和低强度范围，其中所述像素在低强度范围的二进制密度高于所述像素在高强度范围的二进制密度。该方案在量化精度和设备复杂性取得折中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微机 系统 显示 架构 范围 深度 增强 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种装置，其包含：第一电导管；第二电导管；以及包含多个显示器元件的像素，所述多个显示器元件包含：第一显示器元件，其与所述第一电导管和第二电导管通信；以及第二显示器元件，其与所述第一电导管和第二电导管通信；其中，所述像素包括高强度范围和低强度范围，其中所述像素在低强度范围的二进制密度高于所述像素在高强度范围的二进制密度。
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