[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310006387.7 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN103915372A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有鳍部、横跨鳍部的栅极、横跨鳍部且位于栅极两侧的侧墙；在侧墙两侧的半导体衬底和鳍部中进行离子注入，形成源极和漏极；形成源极和漏极后，在所述侧墙两侧形成横跨鳍部的伪插塞；形成伪插塞之后，在半导体衬底上形成层间介质层；形成层间介质层后，去除伪插塞形成接触孔，其中，伪插塞相比鳍部具有高刻蚀选择比，确保在去除伪插塞时，不会损伤鳍部；在接触孔中填充导电材料形成插塞。由于伪插塞下的鳍部不会出现损伤，也就是说源极和漏极不会出现损伤，因此可以保证包括插塞的半导体器件具有较佳的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有鳍部、横跨鳍部的栅极、横跨鳍部且位于栅极两侧的侧墙；在侧墙两侧的半导体衬底和鳍部中进行离子注入，形成源极和漏极；形成源极和漏极后，在所述侧墙两侧形成横跨鳍部的伪插塞；形成伪插塞之后，在半导体衬底上形成层间介质层；形成层间介质层后，去除伪插塞形成接触孔，其中，伪插塞相比鳍部具有高刻蚀选择比，确保在去除伪插塞时，不会损伤鳍部；在接触孔中填充导电材料形成插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
