[发明专利]芯片上铁氧体磁珠电感器有效
申请号: | 201310006469.1 | 申请日: | 2013-01-08 |
公开(公告)号: | CN103247596A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 金俊德;叶子祯 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有原位芯片级铁氧体磁珠电感器的半导体结构及其形成方法。实施例包括:衬底;在衬底上形成的第一介电层;在第一介电层上形成的下铁氧体层;以及在结构中与下铁氧体层间隔分开的上铁氧体层。第一金属层可以形成在下铁氧体层上方,以及第二金属层可以形成在上铁氧体层下方,其中,至少第一或第二金属层具有包括多匝的线圈结构。至少一个第二介电层可以设置在第一和第二金属层之间。铁氧体磁珠电感器具有小形状因数并且适合于采用BEOL工艺形成。本发明提供了芯片上铁氧体磁珠电感器。 | ||
搜索关键词: | 芯片 铁氧体 电感器 | ||
【主权项】:
一种具有芯片级铁氧体磁珠电感器的半导体结构,包括:衬底;第一介电层,形成在所述衬底上;下铁氧体层和上铁氧体层,所述下铁氧体层形成在所述第一介电层上,所述上铁氧体层与所述下铁氧体层垂直间隔分开;第一金属层,形成在所述下铁氧体层上方;第二金属层,形成在所述上铁氧体层下方,其中,至少所述第一金属层或所述第二金属层具有线圈结构;以及至少一个第二介电层,设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间。
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