[发明专利]芯片上铁氧体磁珠电感器有效

专利信息
申请号: 201310006469.1 申请日: 2013-01-08
公开(公告)号: CN103247596A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 金俊德;叶子祯 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/02
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种具有原位芯片级铁氧体磁珠电感器的半导体结构及其形成方法。实施例包括:衬底;在衬底上形成的第一介电层;在第一介电层上形成的下铁氧体层;以及在结构中与下铁氧体层间隔分开的上铁氧体层。第一金属层可以形成在下铁氧体层上方,以及第二金属层可以形成在上铁氧体层下方,其中,至少第一或第二金属层具有包括多匝的线圈结构。至少一个第二介电层可以设置在第一和第二金属层之间。铁氧体磁珠电感器具有小形状因数并且适合于采用BEOL工艺形成。本发明提供了芯片上铁氧体磁珠电感器。
搜索关键词: 芯片 铁氧体 电感器
【主权项】:
一种具有芯片级铁氧体磁珠电感器的半导体结构,包括:衬底;第一介电层,形成在所述衬底上;下铁氧体层和上铁氧体层,所述下铁氧体层形成在所述第一介电层上,所述上铁氧体层与所述下铁氧体层垂直间隔分开;第一金属层,形成在所述下铁氧体层上方;第二金属层,形成在所述上铁氧体层下方,其中,至少所述第一金属层或所述第二金属层具有线圈结构;以及至少一个第二介电层,设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310006469.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top