[发明专利]图案的形成方法

摘要

一种图案的形成方法，包括：在衬底上形成有膜层、位于膜层上的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成包括多个等间距、平行排列第一线的第一图案；在第一线的侧壁形成第二线，其中，第二线线宽等于第一线的线宽，第二线材料与第一线不同；在第二线的侧壁形成第三线，第三线的线宽与第一线相同；在第三线的侧壁外延生长第四线，第四线的线宽与第一线相同，第四线的材料与第三线不同；去除未被第一线、第二线、第三线、第四线覆盖的刻蚀阻挡层，暴露膜层；在膜层上外延生长第五线，第五线的材料与第四线的材料不同；去除第二线、第四线，最终形成的图案包括第一线、第三线和第五线。图案具有均匀排列密度和较佳线宽，以该图案形成的半导体器件性能良好。

主权项

一种图案的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有膜层、位于所述膜层上的刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成包括多个等间距、平行排列第一线的第一图案，第一图案的孔距为最终形成图案孔距的四倍；在所述第一线延伸方向的两相对侧壁形成第二线，其中，第二线的线宽等于第一线的线宽，第二线的材料与第一线的材料不同，所述第二线和第一线具有不同的刻蚀选择比；在所述第二线与第一线相对且远离第一线的侧壁形成第三线，第三线的线宽与第一线的线宽相同；在所述第三线与第二线相对且远离第二线的侧壁外延生长形成第四线，第四线的线宽与第一线的线宽相同，第四线的材料与第三线的材料不同，所述第三线和第四线具有不同的刻蚀选择比；去除未被第一线、第二线、第三线、第四线覆盖的刻蚀阻挡层，暴露膜层；在所述暴露的膜层上外延生长形成第五线，第五线的材料与第四线的材料不同，所述第五线和第四线具有不同的刻蚀选择比；去除第二线、第四线，最终形成的图案包括第一线、第三线和第五线。