[发明专利]一种新型的紫外发光二极管结构无效
| 申请号： | 201310007371.8 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103296156A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 赵志斌;曲轶;张晶 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林省长春市朝*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 新型的紫外发光二极管结构，涉及紫外发光二极管的外延结构设计制作领域。该领域中至今外延片质量很差。其晶格适配严重和大量载流子从活跃区泄漏到P型层中，导致发光二极管的效率低下。该发明中，采用蓝宝石C面为衬底，首先生长AlN缓冲层和P型层中采用超晶格结构明显地减少了晶格失配。在N型AlGaN层生长中调节其厚度和参杂浓度的参数，既能提供足够的载流子还能充分地允许电流通过。P型AlxGa1-xN电子阻挡层，调试找到Al材料组分的最佳比重可以有效地阻挡电子泄漏。以上两方面明显改善了外延片的质量，从而提高其效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 紫外 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种新型紫外发光二极管结构，包括缓冲层，n型层，活跃区，p型电子阻挡层，p型层和p型接触层的设计。
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