[发明专利]一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元无效
| 申请号： | 201310007970.X | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103093809A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴利华;于芳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元，该抗单粒子翻转的静态随机存储单元包括第一差分串联电压开关逻辑单元、第二差分串联电压开关逻辑单元、第一PMOS晶体管电阻、第二PMOS晶体管电阻、第一存取NMOS晶体管和第二存取NMOS晶体管，其中，第一存取NMOS晶体管连接于第一差分串联电压开关逻辑单元，第二存取NMOS晶体管连接于第二差分串联电压开关逻辑单元，第一PMOS晶体管电阻和第二PMOS晶体管电阻并行地连接于第一差分串联电压开关逻辑单元与第二差分串联电压开关逻辑单元之间，第一差分串联电压开关逻辑单元与第二差分串联电压开关逻辑单元构成交叉耦合的锁存器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 翻转 静态 随机 存储 单元 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元，其特征在于，该抗单粒子翻转的静态随机存储单元包括第一差分串联电压开关逻辑单元(1)、第二差分串联电压开关逻辑单元(2)、第一PMOS晶体管电阻(108)、第二PMOS晶体管电阻(109)、第一存取NMOS晶体管(103)和第二存取NMOS晶体管(203)，其中，第一存取NMOS晶体管(103)连接于第一差分串联电压开关逻辑单元(1)，第二存取NMOS晶体管(203)连接于第二差分串联电压开关逻辑单元(2)，第一PMOS晶体管电阻(108)和第二PMOS晶体管电阻(109)并行地连接于第一差分串联电压开关逻辑单元(1)与第二差分串联电压开关逻辑单元(2)之间，第一差分串联电压开关逻辑单元(1)与第二差分串联电压开关逻辑单元(2)构成交叉耦合的锁存器。
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