[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用无效
| 申请号： | 201310008640.2 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103921497A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/04 | 分类号： | B32B15/04;B32B15/02;B32B15/20;B32B15/14;B32B9/00;C23C14/24;C23C14/14;C23C14/08;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种导电薄膜，包括层叠的铜层及氧化铜层，其中，铜层及氧化铜层为纳米线结构，该导电薄膜具有较高的透光率和低的电阻，薄膜做成纳米线的集合，相对于普通的透明导电薄膜，提高了有机电致发光器件的出光效率，上述导电薄膜通过在铜层的表面沉积氧化铜层制备双层导电薄膜，该薄膜具有较高的表面功函数，可降低器件的启动电压，提高发光效率。本发明还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜包括层叠的铜层及氧化铜层，其中，所述铜层及氧化铜层为纳米线结构，所述铜层的纳米线直径为50nm～500nm，所述氧化铜层的纳米线直径为5nm～30nm。
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